【环球网财经综合报道】存储芯片涨价潮仍在持续，且正愈演愈烈。受AI算力需求爆发及产能结构性紧缺影响，存储芯片行业正迎来强劲的涨价预期，2027年甚至可能面临史上最严重的供应短缺。
研究机构DigiTimes在最新报告中指出，受AI需求激增和产能结构性瓶颈影响，高带宽内存（HBM）价格预计将在2027年实现翻倍。行业消息人士称，下一代HBM4的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特飙升至4至5美元，甚至更高。涨价的核心源于两大生产原因：一是HBM4工艺制造难度极高，生产周期长达4至6个月，初期良品率偏低；二是生产HBM所需晶圆面积是普通DDR5内存的3倍，现有产线产能释放空间被大幅压缩。
目前，全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。DigiTimes预判，2027年全球近半数DRAM产能将被大客户包揽，中小厂商难以拿到供货份额。供应链消息也透露，2027年AI硬件将持续存在根本性供货缺口。2026年底芯片厂商议价权将拉满，未提前签订长期供货协议的消费电子企业，或将遭遇严重内存断供危机。今年，部分供应商的DDR5利润率已突破80%，迫使芯片制造商不得不要求更高的HBM定价。
存储芯片巨头的市场动作也印证了这一强劲趋势。美东时间7月10日，SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在美股市场首次亮相，265亿美元发行规模，且ADR价格大涨超12%，较韩股普通股股价存在显著溢价。
通用存储产品同样在持续涨价。全球第二大存储模组企业——威刚董事长陈立白近日透露，2026年第三季度存储芯片将继续涨价。陈立白表示，存储器原厂已通知第三季度DRAM合约价将上涨20%至30%，NAND Flash将调涨35%至40%。当前三大存储原厂2026年绝大部分产能早已提前订满售出，不少客户已经开始洽谈2027年及更长期的供货合约。
多家机构也发表报告预计存储芯片价格将继续上涨。据TrendForce（集邦咨询）最新报告，第三季度整体DRAM格局持续极度紧缺，预计合约价将季增13%—18%；NAND Flash方面，主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，预计整体NAND Flash合约价将季增10%—15%，涨价幅度较前几季明显缩减。此外，瑞银在7月发布的最新报告中大幅上调了存储芯片价格预期，称DRAM报价会在第三季度上涨32%（此前预期17%）、第四季度再涨18%（此前预期12%）；NAND Flash报价预计会在第三季度上涨30%，第四季度将再涨12%。（文馨）
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